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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3710ZPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 59A, TO-220AB 新634510-99￥7.1880100-499￥6.8286500-999￥6.58901000-1999￥6.57702000-4999￥6.52915000-7499￥6.46927500-9999￥6.4213≥10000￥6.3973 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronics MDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics40845-49￥34.877750-199￥33.3872200-499￥32.5525500-999￥32.34391000-2499￥32.13522500-4999￥31.89675000-7499￥31.7477≥7500￥31.5986 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。98725-24￥2.808025-49￥2.600050-99￥2.4544100-499￥2.3920500-2499￥2.35042500-4999￥2.29845000-9999￥2.2776≥10000￥2.2464 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFS59N10DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V72685-24￥3.942025-49￥3.650050-99￥3.4456100-499￥3.3580500-2499￥3.29962500-4999￥3.22665000-9999￥3.1974≥10000￥3.1536 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRF9540NLPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 23 A, -100 V, 117 mohm, 10 V, 4 V445910-99￥11.5440100-499￥10.9668500-999￥10.58201000-1999￥10.56282000-4999￥10.48585000-7499￥10.38967500-9999￥10.3126≥10000￥10.2742 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 40V 250A 3Pin(3+Tab) TO-262 Tube209310-99￥8.6520100-499￥8.2194500-999￥7.93101000-1999￥7.91662000-4999￥7.85895000-7499￥7.78687500-9999￥7.7291≥10000￥7.7003 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF850N80Z, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装504210-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET858910-99￥11.5560100-499￥10.9782500-999￥10.59301000-1999￥10.57372000-4999￥10.49675000-7499￥10.40047500-9999￥10.3234≥10000￥10.2848 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。44565-49￥17.994650-199￥17.2256200-499￥16.7950500-999￥16.68731000-2499￥16.57962500-4999￥16.45665000-7499￥16.3797≥7500￥16.3028 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDA18N50, 19 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装595110-99￥11.4120100-499￥10.8414500-999￥10.46101000-1999￥10.44202000-4999￥10.36595000-7499￥10.27087500-9999￥10.1947≥10000￥10.1567 -
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品类: MOS管描述: FQP17P06 系列 60 V 0.12 Ohm 通孔 P沟道 Mosfet - TO-220-3169410-99￥9.3840100-499￥8.9148500-999￥8.60201000-1999￥8.58642000-4999￥8.52385000-7499￥8.44567500-9999￥8.3830≥10000￥8.3518 -
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品类: MOS管描述: FDP18N50 系列 500 V 265 mOhm 法兰安装 N沟道 MOSFET - TO-220-374625-49￥12.706250-199￥12.1632200-499￥11.8591500-999￥11.78311000-2499￥11.70712500-4999￥11.62025000-7499￥11.5659≥7500￥11.5116 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA24N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 5 V7937 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V19155-49￥24.312650-199￥23.2736200-499￥22.6918500-999￥22.54631000-2499￥22.40082500-4999￥22.23465000-7499￥22.1307≥7500￥22.0268 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF39N20, 39 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装481010-99￥10.0680100-499￥9.5646500-999￥9.22901000-1999￥9.21222000-4999￥9.14515000-7499￥9.06127500-9999￥8.9941≥10000￥8.9605 -
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品类: MOS管描述: FDA032N08: N 沟道 PowerTrench MOSFET 75V，235A，3.2mΩ87925-49￥19.410350-199￥18.5808200-499￥18.1163500-999￥18.00021000-2499￥17.88402500-4999￥17.75135000-7499￥17.6684≥7500￥17.5854 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。99435-49￥15.385550-199￥14.7280200-499￥14.3598500-999￥14.26781000-2499￥14.17572500-4999￥14.07055000-7499￥14.0048≥7500￥13.9390 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V86805-49￥13.876250-199￥13.2832200-499￥12.9511500-999￥12.86811000-2499￥12.78512500-4999￥12.69025000-7499￥12.6309≥7500￥12.5716 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装29995-49￥12.214850-199￥11.6928200-499￥11.4005500-999￥11.32741000-2499￥11.25432500-4999￥11.17085000-7499￥11.1186≥7500￥11.0664 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。349710-99￥9.7320100-499￥9.2454500-999￥8.92101000-1999￥8.90482000-4999￥8.83995000-7499￥8.75887500-9999￥8.6939≥10000￥8.6615 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 100V 63A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube280710-99￥7.4160100-499￥7.0452500-999￥6.79801000-1999￥6.78562000-4999￥6.73625000-7499￥6.67447500-9999￥6.6250≥10000￥6.6002 -
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品类: MOS管描述: 100V,42A,N沟道MOSFET71875-49￥13.794350-199￥13.2048200-499￥12.8747500-999￥12.79221000-2499￥12.70962500-4999￥12.61535000-7499￥12.5564≥7500￥12.4974 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube51835-49￥23.400050-199￥22.4000200-499￥21.8400500-999￥21.70001000-2499￥21.56002500-4999￥21.40005000-7499￥21.3000≥7500￥21.2000 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。40275-24￥5.805025-49￥5.375050-99￥5.0740100-499￥4.9450500-2499￥4.85902500-4999￥4.75155000-9999￥4.7085≥10000￥4.6440 -
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品类: MOS管描述: FDP047AN08A0 系列 75 V 4.7 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-220AB85515-49￥15.327050-199￥14.6720200-499￥14.3052500-999￥14.21351000-2499￥14.12182500-4999￥14.01705000-7499￥13.9515≥7500￥13.8860 -
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品类: MOS管描述: N沟道 60V 17A28735-49￥15.233450-199￥14.5824200-499￥14.2178500-999￥14.12671000-2499￥14.03562500-4999￥13.93145000-7499￥13.8663≥7500￥13.8012 -
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品类: MOS管描述: N沟道,100V,180A,4.3mΩ@10V81535-49￥14.683550-199￥14.0560200-499￥13.7046500-999￥13.61681000-2499￥13.52892500-4999￥13.42855000-7499￥13.3658≥7500￥13.3030 -
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品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU024NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 17A, IPAK 新87365-24￥1.944025-49￥1.800050-99￥1.6992100-499￥1.6560500-2499￥1.62722500-4999￥1.59125000-9999￥1.5768≥10000￥1.5552
